SIC激光钻孔
针对SiC材料高硬度（莫氏硬度9.5 )和高热导率特性，传统加工存在热裂风险（崩边＞5μm）及±2μm孔径控制难题，SiC碳化硅激光钻孔设备技术正随第三代半导体产业爆发而高速演进，其核心突破在于超快激光、多轴协同控制和热管理技术的升级，直驱技术凭借高速高精高刚性等优势正成为解决大尺寸SiC晶圆高效加工的关键路径。
应用与解决方案
SIC激光钻孔应用
随着SiC衬底逐步由6英寸向8和12英寸演进，传统分步加工模式在效率和精度上均遭遇瓶颈，直驱技术的引入可以将推动SiC器件生产工艺速度、质量以及精度大幅提升。
雅科贝思可根据客户需求进行定制完整精密平台或者部件级产品解决方案，如：SiC厚度240μm，通过飞秒激光，可以实现方形孔尺寸20 μm@圆角半径3 μm ，同时还可以控制钻孔锥度、热效应、深径比等，切割速度大幅提升，增加复杂图形高精度加工，曲线切割无毛刺，适配SiC晶圆异形孔等。
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